アンプの特性をNanoVNAで測ってみた
3GHzでゲインが下がる理由がわかりました。
私がバイアス回路に余計な高周波トラップを追加したため、そのトラップが悪さをして3GHz付近のゲインを下げていたようです。
RFトラップを削って削除したら3GHzまではフラットに増幅できるようになりました。
RFアンプを作る場合に、肝になるのはバイアスの与え方であるという知見が得られました。
アンプにICを使う(トランジスタではない)場合、バイアスの与え方以外に工夫すべき場所はありません。
高周波に対するインピーダンスは高く、電源に対するインピーダンスは低くしたいのですが、普通のコイルを6GHzとかで動かそうとしてもコイルがコンデンサになってしまってRF信号を通してしまいます。
どうやって高周波に対するインピーダンスを高くするかというのがポイントです。
メーカーの評価ボードだと少し大きめ(2012サイズ?)のインダクタを使っていますね。極板間の距離が長いからキャパシタンスが低いのでしょうか?
また、メーカーの提唱する参考回路がバイアスをR+Lにしているのは、Lだけだと共振が3GHzくらいにあって、周波数とともにインピーダンスが低くなってしまうのをRで補おうとしているのかもしれません。
インピーダンスを上げるためには、82Ωの抵抗を入れて8Vで動かせということかもしれません!?
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